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工信部《光伏制造行业规范条件》20大变化!
发表时间:2018-02-28 16:01

变化一

《光伏制造行业规范条件》(2013版):新建和改扩建光伏制造项目,最低资本金比例为20%。

《光伏制造行业规范条件》(2015版):新建和改扩建光伏制造项目,最低资本金比例为20%。

《光伏制造行业规范条件》(2018版):新建和改扩建多晶硅制造项目,最低资本金比例为30%,其他新建和改扩建光伏制造项目,最低资本金比例20%。

变化二

《光伏制造行业规范条件》(2013版):申报符合规范名单时上一年实际产量不低于规范条件(2013版)产能要求的50%

《光伏制造行业规范条件》(2015版):申报符合规范名单时上一年实际产量不低于规范条件(2013版)产能要求的50%

《光伏制造行业规范条件》(2018版):申报符合规范名单时上一年实际产量不低于上一年实际产能的50%。


光伏制造企业按产品类型应满足要求变化情况:



变化三

《光伏制造行业规范条件》(2013版):

1.多晶硅项目每期规模大于3000吨/年;
2.硅锭年产能不低于1000吨;
3.硅棒年产能不低于1000吨;
4.硅片年产能不低于5000万片;
5.晶硅电池年产能不低于200MWp;
6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp;
7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp


《光伏制造行业规范条件》(2015版):

1.多晶硅项目每期规模不低于3000吨/年;
2.硅锭年产能不低于1000吨;
3.硅棒年产能不低于1000吨;
4.硅片年产能不低于5000万片;
5.晶硅电池年产能不低于200MWp;
6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp;
7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp;
8.逆变器年产能不低于 200MWp(微型逆变器不低于10MWp) 。


《光伏制造行业规范条件》(2018版):

1.多晶硅项目每期规模不低于3000吨/年;

2.硅锭年产能不低于1000吨;

3.硅棒年产能不低于1000吨;

4.硅片年产能不低于5000万片;

5.晶硅电池年产能不低于200MWp;

6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp;

7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp;

8.逆变器年产能不低于 200MWp(微型逆变器不低于10MWp)。


现有光伏制造企业及项目产品应满足的要求变化情况:



变化四

《光伏制造行业规范条件》(2013版):

多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2μs,电阻率在1-3Ω.cm,碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅3片少子寿命大于10μs,电阻率在1-3Ω.cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA

《光伏制造行业规范条件》(2015版):

多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2μs,碳、氧含量分别小于10和16PPMA; 单晶硅片少子寿命大于10μs,碳、氧含量分别小于1和16PPMA

《光伏制造行业规范条件》(2018版):

多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2μs,碳、氧含量分别小于10和16PPMA; 单晶硅片少子寿命大于10μs,碳、氧含量分别小于1和16PPMA


变化五

《光伏制造行业规范条件》(2013版):要求多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%。

《光伏制造行业规范条件》(2015版):要求多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于17%和18.5%。

《光伏制造行业规范条件》(2018版):要求多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于18%和19.5%。


变化六

《光伏制造行业规范条件》(2013版):多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%。

《光伏制造行业规范条件》(2015版):多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%。

《光伏制造行业规范条件》(2018版):多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的最低光电转换效率分别不低于16%和16.8%。



变化七

《光伏制造行业规范条件》(2013版):硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、 10%、 11%、 10%。

《光伏制造行业规范条件》(2015版):硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、 11%、 11%、 10%。

《光伏制造行业规范条件》(2018版):硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、13%12%、10%。


变化八

《光伏制造行业规范条件》(2015版、2018版)较2013版增加对光伏逆变器的要求。

《光伏制造行业规范条件》(2015版):含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96%,不含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于98%(微型逆变器相关指标分别不低于94%和95%) 。

《光伏制造行业规范条件》(2018版):含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96%,不含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于98%(单相二级拓扑结构的光伏逆变器相关指标分别不低于94.5%和96.8%),微型逆变器相关指标分别不低于94.3%和95.5%。

新建和改扩建企业及项目产品应满足的要求变化情况:



变化九

《光伏制造行业规范条件》(2013版):多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2.5μs, 电阻率在1-3Ω.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11μs,电阻率在1-3Ω.cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA。

《光伏制造行业规范条件》(2015版):多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2.5μs,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11μs,碳、氧含量分别小于1和16PPMA。

《光伏制造行业规范条件》(2018版):多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2.5μs,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11μs,碳、氧含量分别小于1和16PPMA。

变化十

《光伏制造行业规范条件》(2013版):多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18%和20%。

《光伏制造行业规范条件》(2015版):多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18.5%和20%。

《光伏制造行业规范条件》(2018版):多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于19%和21%。


变化十一

《光伏制造行业规范条件》(2013版):多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%。

《光伏制造行业规范条件》(2015版):多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于16.5%和17%。

《光伏制造行业规范条件》(2018版):多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的最低光电转换效率分别不低于17%和17.8%。



变化十二

《光伏制造行业规范条件》(2013版):硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、 12%、 13%、 12%。

《光伏制造行业规范条件》(2015版):硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、 13%、 13%、 12%。

《光伏制造行业规范条件》(2018版):硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、14%14%、12%。


变化十三

《光伏制造行业规范条件》(2013版):多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2年内分别不高于3.2%和4.2%, 25年内不高于20%;薄膜电池组件衰减率在2年内不高于5%, 25年内不高于20%。

《光伏制造行业规范条件》(2015版):多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在1年内分别不高于2.5%和3%, 25年内不高于20%;薄膜电池组件衰减率在1年内不高于5%, 25年内不高于20%。

《光伏制造行业规范条件》(2015版):多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率首年分别不高于2.5%和3%后续每年不高于0.7%,25年内不高于20%;薄膜电池组件衰减率首年不高于5%,后续每年不高于0.4%,25年内不高于15%。


光伏制造项目能耗应满足要求变化情况


变化十四

《光伏制造行业规范条件》(2013版):现有多晶硅项目还原电耗小于80千瓦时/千克, 综合电耗小于140千瓦时/千克;新建和改扩建项目还原电耗小于60千瓦时/千克,综合电耗小于100千瓦时/千克。

《光伏制造行业规范条件》(2015版):现有多晶硅项目还原电耗小于65千瓦时/千克,综合电耗小于120千瓦时/千克;新建和改扩建项目还原电耗小于55千瓦时/千克,综合电耗小于100千瓦时/千克。

《光伏制造行业规范条件》(2015版):现有多晶硅项目还原电耗小于60千瓦时/千克,综合电耗小于100千瓦时/千克;新建和改扩建项目还原电耗小于50千瓦时/千克,综合电耗小于80千瓦时/千克


变化十五

《光伏制造行业规范条件》(2013版):现有硅锭项目平均综合能耗小于9千瓦时/千克,新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克;如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品,项目平均综合能耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克。

《光伏制造行业规范条件》(2015版):现有硅锭项目平均综合能耗小于8.5千瓦时/千克, 新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克;如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品,项目平均综合能耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克。

《光伏制造行业规范条件》(2018版):现有硅锭项目平均综合电耗小于8.5千瓦时/千克,新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克;如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品,项目平均综合电耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克。

变化十六

《光伏制造行业规范条件》(2013版):现有硅棒项目平均综合能耗小于50千瓦时/千克, 新建和改扩建项目小于45千瓦时/千克

《光伏制造行业规范条件》(2015版):现有硅棒项目平均综合能耗小于45千瓦时/千克,新建和改扩建项目小于40千瓦时/千克

《光伏制造行业规范条件》(2018版):现有硅棒项目平均综合电耗小于45千瓦时/千克,新建和改扩建项目小于40千瓦时/千克


变化十七

《光伏制造行业规范条件》(2013版):现有多晶硅片项目平均综合能耗小于60万千瓦时/百万片,新建和改扩建项目小于55万千瓦时/百万片;现有单晶硅片项目平均综合能耗小于40万千瓦时/百万片,新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片。

《光伏制造行业规范条件》(2015版):现有多晶硅片项目平均综合能耗小于45万千瓦时/百万片,新建和改扩建项目小于40万千瓦时/百万片;现有单晶硅片项目平均综合能耗小于40万千瓦时/百万片,新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片。

《光伏制造行业规范条件》(2018版):现有多晶硅片项目平均综合电耗小于45万千瓦时/百万片,新建和改扩建项目小于40万千瓦时/百万片;现有单晶硅片项目平均综合电耗小于40万千瓦时/百万片,新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片。


变化十八

《光伏制造行业规范条件》(2013版):电池项目平均综合能耗小于15万千瓦时/MWp。

《光伏制造行业规范条件》(2015版):电池项目平均综合能耗小于 10 万千瓦时/MWp。

《光伏制造行业规范条件》(2018版):电池项目平均综合电耗小于9万千瓦时/MWp。


变化十九

《光伏制造行业规范条件》(2013版):晶硅电池组件项目平均综合能耗小于 8 万千瓦时/MWp; 薄膜电池组件项目平均能耗小于50 万千瓦时/MWp。

《光伏制造行业规范条件》(2015版):晶硅电池组件项目平均综合能耗小于6万千瓦时/MWp;薄膜电池组件项目平均能耗小于50万千瓦时/MWp。

《光伏制造行业规范条件》(2018版):晶硅电池组件项目平均综合电耗小于6万千瓦时/MWp;薄膜电池组件项目平均电耗小于50万千瓦时/MWp。


光伏制造项目生产水耗应满足要求变化情况


变化二十

《光伏制造行业规范条件》(2013版):

多晶硅项目水循环利用率不低于95%;
硅片项目水耗低于1400吨/百万片;
电池项目水耗低于
1700吨/MWp


《光伏制造行业规范条件》(2015版):

多晶硅项目水循环利用率不低于95%;
硅片项目水耗低于1400吨/百万片;
电池项目水耗低于
1700吨/MWp。


《光伏制造行业规范条件》(2018版):

多晶硅项目水循环利用率不低于95%;

硅片项目水耗低于1400吨/百万片;

电池项目水耗低于1500吨/MWp。



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